La nueva generación de transistores ultra veloces

Uno de los factores que ha caracterizado el avance tecnológico a nivel computacional a lo largo de los años es la capacidad de miniaturizar cada vez más los componentes electrónicos produciendo en consecuencia la concentración de mayor número de transistores para un pequeño y determinado espacio; sin embargo el límite de este proceso como se emplea hoy en día está proyectado para llegar a su mínima expresión en unos 10 años.

Entra en juego la nueva generación de transistores construidos a base de una curiosa sustancia llamada grafeno, la cual se llevó el premio Nobel de Física en 2010, el año pasado un equipo de científicos experimentando en la utilización de transistores de este tipo, logró llevarlos a una impresionante velocidad de 467GHz, así es, 100 veces más rápido que muchos de los transistores a base de silicón utilizados hoy en día. Sin embargo existía un pequeño problema con este tipo de material, no era posible “apagarlo” lo cual imposibilitaba su aplicación real a transistores.

Dicha preocupación puede que este cerca de llegar a su fin, unos investigadores de la Universidad de California Riverside han encontrado la manera de utilizar un método alternativo para atacar el problema, el cual está basado en aprovechar ciertas propiedades del material bajo el fenómeno de resistencia negativa.

Habrá que esperar que la investigación siga su curso y se vayan desarrollando soluciones electrónicas mas complejas y llevarlo a un punto acorde a la realidad aplicable a un computador personal, pero sin duda este material es el futuro de la electrónica y todos esperamos con ansias el día que tengamos en nuestras manos un equipo capaz de alcanzar velocidades tan elevadas que hoy en día son solo un sueño o situaciones poco comunes vistas en niveles macro de super-computadores.