Una gran controversia ha venido rodeando al por qué un importante material semiconductor usado en los LEDs, el nitruro de galio e indio (InGaN), genera luz de tan alta intensidad: No había consenso sobre si en el material se forman cúmulos ricos en indio que hacen posible la notable eficiencia de los LEDs. Ahora, el equipo de Kim Kisslinger, Aaron C. Johnston-Peck, y Eric A. Stach, del CFN (Centro para los Nanomateriales Funcionales) del Laboratorio Nacional estadounidense de Brookhaven, en Upton, Nueva York, así como Silvija Gradecak y Kamal H. Baloch, del Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT) en Cambridge, Estados Unidos, ha demostrado definitivamente que la formación de esos cúmulos no es la causa.
Los resultados no despejan la incógnita, pero al menos acotan el terreno donde puede hallarse la explicación, y mejoran el nivel de conocimientos básicos sobre la tecnología LED. Todo ello podría traducirse en la apertura de nuevas y productivas líneas de investigación.
Conviene recordar que las bombillas incandescentes convencionales convierten sólo un 5 por ciento de su energía en luz visible, perdiéndose el resto en forma de calor. Las lámparas fluorescentes llevan esa eficiencia hasta cerca del 20 por ciento, desperdiciando todavía el 80 por ciento de la electricidad consumida. En ambos casos, la luz es subproducto de reacciones que generan calor, en vez de ser el efecto principal, lo cual hace que sean inherentemente ineficientes.
En cambio, los LEDs generan fotones de luz visible directamente a partir de la corriente eléctrica.
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