ReRam: un chip de memoria 100 veces más rápido

Investigadores británicos creen haber desarrollado una memoria de un centenar de veces más rápida que la NAND Flash.

La RAM resistiva, o ReRAM, se compone de chips compuestos de óxido de metal que tienen la propiedad de cambio de estado resistivo como una función del voltaje aplicado . Este valor de la resistencia inducida se almacena incluso si la tensión ya no se aplica, por ejemplo en el caso del apagado del sistema.

De acuerdo con investigadores del UCL, University College de Londres, estos chips ReRAM también prometen ofrecer mucha más capacidad de almacenamiento que los chips NAND Flash que se utilizan actualmente, mientras que consumen menos energía y son más pequeños. Una publicación reciente en el “Journal of Applied Physics“, explica que la nueva estructura compuesta de óxido de silicio es más sensible a los cambios frecuentes de la tensión que induce la resistencia de la celda que con los materiales más antiguos.

Memoria del futuro

Dentro de la celda, los átomos de carbono se alinean para formar filamentos que son más o menos resistivos, y el número de filamentos se puede mover desde el estado 1 al estado 0 muy rápidamente. UCL va más allá en su presentación diciendo que este nuevo material desarrollado para estos chips es potencialmente más barato de producir, más robusto  e incluso con el tiempo puede ser lo suficientemente fino como para hacer chips casi transparentes.

“ Nuestros chips ReRAM requieren sólo una centésima parte de la energía y son cien veces más rápidos que el estándar de chips Flash NAND ”, dijo el Dr. Tony Kenyon, ingeniero en el Departamento de Electrónica y Eléctrica del UCL. Estas búsquedas son similares a las de HP en  memristores , que se basan en dióxido de titanio y tendrían las mismas propiedades que la ReRAM. Este nuevo enfoque por los chips de óxido de silicio que integra el almacenamiento mucho más fácil para los chips de procesamiento, tales como microprocesadores, para producir chips hibridos con una velocidad de almacenamiento de base para caché de gran tamaño y una capa transistores superiores de la CPU ejemplo.

Además, otro ingeniero de la UCL, Mehonic Adnan explica que “ El potencial de este nuevo material es enorme. Durante la fase de prueba, nos dimos cuenta de que era posible  programar los chips a más de dos estados la conductividad“, que también podría unirse a otras búsquedas aún más avanzadas.