Fujitsu presenta nuevas memorias ferroeléctricas

Fujitsu Semiconductor América (FSA) ha ampliado su cartera cada vez mayor de productos de memoria ferroeléctricas con la introducción de un nueva  serie de memorias ferroeléctricas de acceso aleatorio (FRAM), producto que cuenta con un amplio rango de voltaje de 3.0V a 5.5V, y que ofrece importante flexibilidad de diseño  para los consumidores y aplicaciones industriales.

La nueva serie V incluye productos que van desde 16 kbit a 256 kbit, que abarca tanto las interfaces I2C y SPI. Los dos primeros miembros de la serie, el MB85RC16V y MB85RC64V, están disponibles en cantidades de producción. Los dispositivos se caracterizan por interfaces I2C en serie a una frecuencia de operación de 400 kHz, que cubre las densidades de 16 kbit y 64 kbit, respectivamente. Los productos de la serie V ofrecen una gran fiabilidad, con 10 años de retención de datosde retención de datosa 85 ?, así como una autonomía de 1 billón (1012) de lectura / escritura de ciclos. Los productos tienen una garantía de funcionamiento en el rango de temperatura de -40 ° C a +85 ° C.

“Las Fujitsu serie V FRAMs dar cabida a la gama común CMOS de voltaje de 3.3V a 5V, al tiempo que permite la tolerancia de ± 10% variación de la tensión “, dijo Tong Cisne Pang, director senior de marketing de Fujitsu Semiconductor América. “El amplio rango de tensión de esta nueva serie permite a los diseñadores de sistemas consolidar sus diseños en torno a una sola FRAM para múltiples plataformas. La flexibilidad de la serie V mejora la eficiencia logística y operativa, mientras que incrementa los costes de los componentes hacia abajo. ”

Fujitsu planea el lanzamiento a mediados de año de un tercer dispositivo, el MB85RS64V, un FRAM 64 kbit con una interfaz SPI. Otros dispositivos que incorporan 256 Kbit con interfaces I2C o SPI también estará disponible en 2012. Todos los productos de esta serie están disponibles en los populares paquetes de 8 pines SOP de plástico, que son compatibles con la mayoría de las memorias EEPROM.

Amplia variedad de FRAMs Disponible de Fujitsu

Aparte de la serie V, Fujitsu ofrece una amplia variedad de dispositivos de FRAM de baja tensión de funcionamiento entre 2,7 y 3,0 V, que están equipadas con I2C, SPI o interfaces paralelas. Los niveles de densidad puede variar en cada 16kbit de 4 Mbits.

FRAM es la nueva generación de memoria no volátil que supera a las EEPROM y Flash, consume menos energía, y ofrece una mayor velocidad y resistencia prácticamente ilimitado a múltiples lecturas y escrituras. FRAM no es volátil, pero opera en otros aspectos como la memoria RAM. FRAM se ha convertido en una excelente alternativa en la memoria EEPROM en muchas aplicaciones, especialmente aquellas con las funciones frecuentes de los datos de registro y bajo consumo de energía, donde es esencial para prevenir cualquier pérdida de datos, incluso en el caso de un corte de energía repentino.

Fujitsu ha  producido masivamente  FRAM por más de 10 años con un historial comprobado de alta fiabilidad. Este medio de almacenamiento de avance se utiliza en una variedad de aplicaciones, incluyendo las tarjetas inteligentes, RFID, circuitos integrados de seguridad y muchas otras aplicaciones que requieren alto rendimiento de la memoria no volátil.